奥林巴斯显微镜两相CCD时钟
作者： 来源： 日期：2016/8/17 人气：106
通过CCD位移寄存器的电荷转移发生整合之后移居累积电荷信息到读出放大器，其在物理上与平行像素阵列分开。 几个时钟方案，包括在图1所示的两相技术中，被用来从收集门的电荷转移到输出节点。
两相电荷转移CCD时钟方案采用四个城门的每个像素，具有连接在一起，对相邻的门。 两相的CCD方案需要比所描述的更复杂的时钟安排四相和三相的CCD结构。 所示的移位寄存器在图1包括一个半像素单元，共计六个门沿公共轴线对齐，以形成一列。 每一个栅极一对被连接到备用时钟线和在每对栅极中的一个被设计与栅下方增加n型掺杂水平。 当电压被施加到栅极对，具有增加的掺杂水平的栅具有更正电位，这增加了电荷存储区域的深度和结果在势能曲线的“台阶”。
静电力在栅极下方的硅衬底的性质是由时钟输入信号施加到一个特定栅极的电压电平决定的。 高电平电压诱发一个潜在的“井”下方的栅极的形成，而低电平电压形成的势垒，以电子运动。 时钟线被交替脉冲，从而导致在电荷分组（示出为图1中的紫色“电子”）沿所述CCD中由额外的掺杂的位置确定一个方向被移位。 对于只有两个时钟相位的要求降低了设备的复杂性，但需要额外的处理的费用。（奥林巴斯显微镜）
（在图1所示的CCD在t（1））的初始状态是与在P上的组合门（1），具有一个低级别的电压形成的一对阶梯状势垒，与电位高，该区域下方的具有增加的掺杂水平的大门。 同时，在P上的组合门（2）具有高电平电压和形式阶梯势阱，其中最深孔下方出现具有正常的掺杂水平（井填充有紫色球体表示集成电荷或门“电子“）。在t（2），以完成周期短，电压电平与所述栅极以P反转（1）具有高电平电压（以及势阱）和栅极为P（2）具有低电平电压。
